Низкотемпературный зондовый стол для жидкого азота LN-4H-06

Низкотемпературный зондовый стол на жидком азоте — это современное научно‑исследовательское оборудование, специально предназначенное для высокоточных электрических измерений полупроводниковых приборов, микро‑ и наноматериалов, а также электронных компонентов в условиях низких температур. Благодаря системе охлаждения на жидком азоте он обеспечивает образцу сверхнизкую температуру, что позволяет точно исследовать его электрические свойства при экстремально низких температурах. Данное устройство оснащено микроскопическим модулем высокого разрешения, позволяющим чётко визуализировать микроструктуру образца и осуществлять точное позиционирование и контакт между зондом и образцом.

Конструкция вакуумной камеры эффективно исключает воздействие внешней среды, обеспечивая стабильность и надёжность процесса испытаний. Зондовый рычаг оснащён высокоточным регулирующим механизмом, позволяющим гибко осуществлять многомерную настройку в соответствии с требованиями к различным образцам. Кроме того, устройство обладает низким уровнем утечки тока, что гарантирует получение точных результатов при проведении измерений с высокой чувствительностью. Низкотемпературный зондовый стол на жидком азоте также поддерживает ряд дополнительных функций, включая подключение оптических интерфейсов, что позволяет удовлетворять специфические требования, например, при тестировании оптоэлектронных устройств.

Это оборудование широко применяется в таких областях, как исследования и разработка полупроводников, микро‑ и наноэлектроника, материаловедение, физическая химия и др., и является идеальным инструментом для изучения ключевых характеристик устройств — их транспортных свойств при изменении температуры, термоэлектрических характеристик, фотоэлектрической реакции и других. Оно предоставляет учёным стабильную и надёжную платформу для низкотемпературных испытаний, способствуя достижению прорывных результатов в сфере микро‑ и нанонаук.

• Характеристики продукта

△ Вакуумная камера: степень вакуума лучше 6×10⁻⁴ Па. После охлаждения — лучше 6×10⁻⁵ Па. Предусмотрены два фланцевых патрубка для пользователя (возможна подача газа или подключение дополнительных кабелей);

△ Управление зондами: в стандартной комплектации — 4 зондовых рычага. Диапазон регулировки — 50 мм × 50 мм × 30 мм, точность регулировки лучше 10 мкм. Каждый зондовый рычаг оснащён одним трёхкоаксиальным низкопотерным кабелем Triax и соответствующим зондом. Основание образцового стола дополнительно снабжено одним трёхкоаксиальным низкопотерным кабелем Triax.

△ Микроскопический модуль: монокулярный микроскоп с непрерывным изменением увеличения; оптическое увеличение — от 0,5× до 3,75× (при использовании дополнительного объектива 0,75×); видеомагнитуда — около 700×. Дополнительно доступен объектив‑дополнение 2×. Разрешение — лучше 2 мкм. Цифровая камера Full HD, с коаксиальной и кольцевой подсветкой, с механической и оптической фокусировкой.

△ Температурно регулируемый образцовый стол: диаметр 50 мм. Диапазон температурного регулирования: 80–400 К. Стабильность поддержания температуры лучше ±0,01 К;

△ Дополнительно можно подключить оптоволокно, заменив одну или несколько электрических зондов на оптические.

△ Ток утечки постоянного тока системы составляет менее 1 пА;

△ В состав продукта входят импортная молекулярная насосная установка, вакуумный датчик полного диапазона и интеллектуальный терморегулятор.

• Примеры применения

1. Измерение электрических характеристик приборов в условиях комнатной температуры в вакууме или в атмосферной среде

Пример: IV‑кривая и кривая переноса полевого транзистора на основе однослойного дисульфида вольфрама

2. Измерение характеристик IV при переменной температуре

Пример: Исследование транспорта в ван-дер-ваальсовом гетеропереходе дисульфида вольфрама/кремний при изменении температуры

3. Исследование оптоэлектрических характеристик устройств (чувствительность, квантовая эффективность, скорость отклика и др.)

Пример: Исследование сверхбыстрого оптического отклика нанопроволок из суперрешётки InGaZnO

4. Исследование термоэлектрических свойств материалов

Пример: измерение термоэлектрических свойств материалов с использованием вакуумной термостатической платформы.

5. Тестирование характеристик газочувствительного датчика

Пример: датчик влажности на основе тонкой пленки дисульфида вольфрама