Сканирующий электронный микроскоп (SEM) в сочетании с методом энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии (EDS или EDX) позволяет осуществлять разнообразные виды анализа состава. Ниже перечислены основные аналитические возможности SEM‑EDS:

1. Качественный анализ

ЭДС позволяет идентифицировать элементы в образце и определять их присутствие по характерным пикам рентгеновского излучения.

Идентификация элементов: обнаружение и определение всех элементов в образце, как правило, в диапазоне от бора (B) до урана (U).

Спектральный анализ: отображает рентгеновский спектр образца и позволяет идентифицировать различные элементы по характерным линиям в спектре.

2. Количественный анализ

ЭДС позволяет не только идентифицировать элементы, но и проводить их количественный анализ.

Содержание элементов: посредством анализа интенсивности рентгеновских линий рассчитываются массовые и атомные доли каждого элемента в образце.

Стандартизированный метод: калибровка с использованием стандартных образцов повышает точность количественного анализа.

3. Анализ по поверхности (картирование)

ЭДС позволяет получать карты распределения элементов, отображающие пространственное распределение различных элементов на поверхности образца.

Карта распределения элементов: с помощью метода поверхностного сканирования формируются двумерные изображения распределения различных элементов на поверхности образца.

Многокомпонентное картирование: одновременное построение карт распределения нескольких элементов, демонстрирующее их совместное присутствие и взаимосвязи в образце.

4. Линейный сканирующий анализ (Line Scan)

Путём сканирования поверхности образца вдоль заданной линии отображается распределение элементов по этой линии.

Линейный сканирующий график: выполняется сканирование вдоль заданного отрезка, показывая изменение интенсивности сигнала каждого элемента в зависимости от положения.

Количественный профиль: предоставляет количественные графики распределения элементов по профилю, отображая изменения концентрации каждого элемента вдоль линии сканирования.

5. Точечный анализ (Spot Analysis)

Проводится детальный элементный анализ определённых точек образца, что подходит для анализа состава крошечных областей или особенностей.

Монопунктовый анализ: проведение детального элементного анализа конкретной микроскопической области образца.

Многоточечный анализ: проводится анализ состава в различных точках образца, позволяющий сравнить элементный состав разных участков.

6. Анализ толщины

Используйте ЭДС‑анализ для определения толщины тонких пленок или многослойных структур.

Толщина тонкой пленки: оценка толщины тонкой пленки или многослойной структуры на основе анализа затухания характерных рентгеновских сигналов.

Структура в слоях: анализируется многослойная структура образца, определяются толщина каждого слоя и его элементный состав.

7. Корреляционный анализ

Путём совмещения информации о распределении элементов осуществляется анализ различных фаз в образце.

Фазовый анализ: на основе состава и распределения элементов определяют различные фазы или соединения в образце.

Сравнительный анализ: изучение элементного состава различных фаз и их взаимного распределения.

8. Практические шаги

Подготовка образца: обеспечить электропроводность поверхности образца; при необходимости выполнить обработку для повышения электропроводности (например, нанести металлический слой).

СЭМ‑изображение: с помощью СЭМ получают изображения высокого разрешения и определяют область анализа.

Настройка EDS: выберите соответствующие параметры анализа EDS, такие как ускоряющее напряжение, интенсивность пучка и время сбора данных.

Сбор данных: качественный анализ: получение рентгеновского спектра и идентификация элементов в образце.

Количественный анализ: содержание элементов рассчитывается на основе интенсивности спектральных пиков.

Поверхностное сканирование и линейное сканирование: осуществляется сбор данных для получения карт распределения элементов и линейных профилей.

Точечный анализ: проводится детальный составной анализ конкретной точки.

Обработка и анализ данных: данные обрабатываются с использованием программного обеспечения EDS; формируются спектры, карты распределения и количественные результаты.

Объясняют и анализируют полученные результаты, определяя состав и структурные характеристики образца.

Благодаря этим аналитическим возможностям SEM‑EDS может предоставлять подробную информацию об элементном составе и распределении элементов в таких областях, как материаловедение, геология, биология, металлургия и др.

Термостатический сканирующий электронный микроскоп серии ZEM компании ZEPTOOLS

Компания «Аньхой Цзэюй Технологии» — это научно‑инструментальная фирма, обладающая полностью самостоятельными правами интеллектуальной собственности. С начала 1990‑х годов, когда она приступила к разработке электронных микроскопов и сопутствующего оборудования, её исследовательская команда неизменно стремится предоставлять высококачественные приборы для нанонаучных исследований. В настоящее время компания располагает в том числе… Пико Фемто Серия Система измерений в режиме in situ с использованием ТЭМ 、 Система измерений СЭМ в нативном состоянии 、 Настольный сканирующий электронный микроскоп серии ZEM 、 Ступенчатый измеритель серии JS 、 Нано‑пьезо‑столик 、 Станок для переноса двумерных материалов 、 Пробоночная платформа и низкотемпературная система 、 Линейка с дифракционной решёткой Ряд продуктовых линеек, включая …, пользуются широким признанием как на внутреннем, так и на международном рынках, заполняя многочисленные пробелы в отечественной сфере научно‑измерительных приборов.