Новости и информация

Компания «ZEPTOOLS» завершила раунд B финансирования, возглавляемый фондом «Куньпэн Капитал», — совместными усилиями достигнут новый прорыв в области отечественных высокотехнологичных научных приборов.

В последнее время компания «ZEPTOOLS» официально объявила о завершении раунда финансирования серии B. Этот раунд возглавил прямой инвестиционный фонд «Куньпэн», специализирующийся на транспорте, при участии фонда «Цзинцун Хаоцзюй», а также сопровождающих инвестиций со стороны инвесторов «Гэчжи Капитал» и «Фэнъюань Капитал», которые продолжили наращивать свои вложения. В условиях, когда отрасль высокоточных измерительных приборов открывает широкие перспективы развития, полученные инвестиции стали не только глубоким признанием со стороны капитала технического потенциала компании «ZEPTOOLS», но и мощной поддержкой её курса на независимые инновации и обеспечение научно‑технической самостоятельности и самодостаточности.

24

2026

/

04

Nature Materials | ZEPTOOLS: in‑situ‑ТЭМ‑исследование выявило фазовый переход, вызванный электрическим полем, в основе которого лежит нитридный тип энергонезависимой памяти

С распространением технологий интернета вещей, искусственного интеллекта и аналитики больших данных современные информационные системы сталкиваются с экспоненциальным ростом спроса на ёмкость хранилищ и скорость обработки данных. Для решения проблемы «стены памяти», обусловленной узким местом передачи данных между центральным процессором и энергозависимой оперативной памятью, отрасль предложила инновационные архитектуры — такие как вычисления вблизи памяти и вычисления в памяти, — которые предъявляют более жёсткие требования к высокоскоростным и энергоэффективным технологиям энергонезависимой памяти. Из‑за существенного разрыва по задержкам между современной энергозависимой оперативной памятью и традиционными энергонезависимыми носителями не только ограничивается скорость отклика системы, но и происходит значительный перерасход энергии. Поэтому разработка принципиально нового решения для памяти, обеспечивающего скорость чтения/записи на уровне наносекунд, обладающего высокой надёжностью и глубоко совместимого с технологиями комплементарных металлооксидных полупроводников, стала одним из ключевых направлений исследований в области полупроводниковых технологий.

21

2026

/

04

Передовые материалы | ZEPTOOLS: in-situ‑ТЕМ помогает раскрыть сверхбыструю кинетику ионов натрия, обусловленную ненасыщенным дисульфидом молибдена

Натрий‑серные аккумуляторы, работающие при комнатной температуре, благодаря низкой стоимости, обилию доступных ресурсов и чрезвычайно высокой теоретической энергетической плотности широко рассматриваются как ключевое технологическое решение для будущих крупномасштабных систем хранения энергии. В современных исследованиях для преодоления эффекта полисульфидного шунтирования учёные часто используют пористые углеродные каркасы для физического удержания либо применяют полярные матрицы‑хозяева, чтобы установить химические взаимодействия, тем самым повышая сродство к полисульфидам и способствуя их каталитическому превращению. Однако эти подходы по‑прежнему в основе своей опираются на путь растворения‑перекристаллизации, связанный с растворимыми длинноцепочечными полисульфидами. Из‑за относительно слабого взаимодействия между углеродными матрицами‑хозяевами и активными материалами эффект шунтирования зачастую не удаётся полностью подавить, а замедленная кинетика окислительно‑восстановительных процессов по‑прежнему ограничивает кинетические характеристики батареи, что приводит к быстрому снижению ёмкости во время циклирования.

20

2026

/

04

Передовые материалы | In‑situ‑ТЕМ‑метод ZEPTOOLS способствует преодолению узкого места в производительности, связанного с чрезвычайно низким током утечки 3D‑памяти, — в селекторах памяти

Повышение плотности интеграции микросхем памяти имеет ключевое значение для создания высокопроизводительных систем хранения данных и параллельных вычислений; это требует, чтобы селекторные компоненты в 3D‑накладных кросс‑поинтовых архитектурах обладали сверхнизким током утечки и подходящим пороговым напряжением. В настоящее время в 3D‑фазовой памяти для управления состоянием включения/выключения ячеек памяти преимущественно используются селекторы на основе овонического порогового переключения (OTS), при этом их доступные характеристики непосредственно влияют на эффективность использования площади чипа и его стоимость. Идеальный селектор должен обеспечивать ток утечки в подпороговом режиме порядка пикоампер при половинном напряжении питания, одновременно демонстрируя крайне высокую нелинейность переключения, а его пороговое напряжение должно находиться в диапазоне 1,8–2,5 вольта, что позволяет совместимость с низковольтными логическими устройствами в передовых технологических узлах. Однако существующие материальные системы и конструктивные решения зачастую не способны одновременно удовлетворить эти строгие требования к параметрам, что ограничивает развитие более масштабных массивов памяти.

16

2026

/

04

< 1...121314...77 >