【Внутрикристаллическая ин‑ситу‑характеризация полупроводников】Nano Energy: устройство для ин‑ситу‑анализа образцов компании «ZEPTOOLS» применено в полупроводниковых приборах
Дата публикации:
2023-08-23
Результаты исследований, опубликованные с использованием образцового стержня PicoFemto® в режиме in situ, постоянно обновляются; в дальнейшем мы будем и далее пополнять базу примеров применения продукта. Пропустившие предыдущие публикации преподаватели могут перейти на главную страницу официального аккаунта и прочитать их, нажав кнопку «Архив статей». Приглашаем всех подписаться на наш аккаунт — здесь вы найдёте актуальные новости из области электронной микроскопии, уникальные экспериментальные протоколы и высококачественные научные результаты. Присоединяйтесь к обсуждению и вместе с коллегами развивайте свои идеи!
Использование Пико Фемто ® Исследовательские результаты, опубликованные на основе образцовых стержней «in situ», постоянно обновляются; в дальнейшем мы будем и далее пополнять базу примерами применения наших продуктов. Пропустившие предыдущие публикации преподаватели могут перейти на главную страницу нашего официального аккаунта и нажать «Архив статей». Приглашаем всех подписаться на наш аккаунт — здесь вы найдёте актуальные новости из области электронной микроскопии, уникальные экспериментальные протоколы и высококачественные научные результаты. Присоединяйтесь к обсуждению и вместе с коллегами развивайте свои идеи!
В этом выпуске представлено эссе Пико Фемто ®Применение зондов in situ в разработке полупроводниковых устройств нового поколения. Полевые транзисторы широко используются в полупроводниковой отрасли. В последние годы особое внимание привлекают полевые транзисторы с затвором из пьезоэлектрических материалов, таких как оксид цинка. В данной работе с помощью зонда STM‑TEM был установлен одиночный нанопровод из оксида цинка, а в режиме in situ в ТЭМ осуществлялись манипуляции, измерения и наблюдения. Исследование показало, что при приложении к нанопроводу напряжения 2,63% с помощью зонда STM его электропроводность резко снижается на два порядка. Сопоставив полученные данные с результатами TEM‑наблюдений, мы установили, что это изменение проводимости не связано с потенциальным барьером Шоттки в месте контакта, а обусловлено потерей носителей заряда, возникающей вследствие поперечного пьезоэлектрического эффекта в нанопроводе из оксида цинка. Данная работа выполнена совместно Национальным институтом материалов Японии (NIMS), Институтом физики Китайской академии наук и Центром совместных инноваций в области квантовых материалов; полученные результаты опубликованы в журнале Nano Energy (Nano Energy (2015) 13, 233–239).
Технологии Цзэюй Пико Фемто ®В данном исследовании образцовый стержень «in situ» стабильно и точно обеспечивал выполнение задач по размещению образца, проведению электрических измерений и приложению механического напряжения.
Нанопроволока из оксида цинка одним концом закреплена на золотой игле, а другим концом подвергается механическому напряжению с помощью вольфрамовой иглы.
Поддержка теоретической модели экспериментальными результатами.
Модель прикладного устройства
Связанные новости
Свяжитесь с нами
Телефон:15756003283
Электронная почта:support@zeptools.com
Адрес: провинция Аньхой, город Тунлинь, Электронный парк предпринимательства «Дунши», д. 15