Новости и информация

ZEPTOOLS DMD безмасочный выравниватель | Фабрикация высокопроизводительных двумерных фокальных плоскостных массивов палладиевого диселенида для длинноволнового инфракрасного диапазона

Технология детектирования в длинноволновой инфракрасной области обладает ключевой прикладной значимостью в военной, медицинской и промышленной сферах безопасности. Диапазон её спектральной чувствительности хорошо согласуется с пиком теплового излучения объектов комнатной температуры, что делает её важнейшим элементом для реализации неохлаждаемой тепловизионной технологии. В настоящее время оксид ванадия и аморфный кремний, обладающие высокими значениями температурного коэффициента сопротивления и возможностью регулировки удельного сопротивления, стали основными термочувствительными материалами для неохлаждаемых инфракрасных фокальных плоскостных матриц. Тем не менее научное сообщество продолжает искать альтернативы с более высокими эксплуатационными характеристиками. Диселенид палладия (PdSe₂), как перспективный двумерный полупроводник с настраиваемой шириной запрещённой зоны в зависимости от числа слоёв, отличной химической стабильностью и хорошей совместимостью с низкопотребляющими технологическими процессами CMOS конечной стадии производства, рассматривается как идеальная платформа для разработки высокопроизводительных и недорогих инфракрасных детекторов следующего поколения.

29

2026

/

04

Nature Materials | ZEPTOOLS: in‑situ‑ТЭМ‑исследование выявило фазовый переход, вызванный электрическим полем, в основе которого лежит нитридный тип энергонезависимой памяти

С распространением технологий интернета вещей, искусственного интеллекта и аналитики больших данных современные информационные системы сталкиваются с экспоненциальным ростом спроса на ёмкость хранилищ и скорость обработки данных. Для решения проблемы «стены памяти», обусловленной узким местом передачи данных между центральным процессором и энергозависимой оперативной памятью, отрасль предложила инновационные архитектуры — такие как вычисления вблизи памяти и вычисления в памяти, — которые предъявляют более жёсткие требования к высокоскоростным и энергоэффективным технологиям энергонезависимой памяти. Из‑за существенного разрыва по задержкам между современной энергозависимой оперативной памятью и традиционными энергонезависимыми носителями не только ограничивается скорость отклика системы, но и происходит значительный перерасход энергии. Поэтому разработка принципиально нового решения для памяти, обеспечивающего скорость чтения/записи на уровне наносекунд, обладающего высокой надёжностью и глубоко совместимого с технологиями комплементарных металлооксидных полупроводников, стала одним из ключевых направлений исследований в области полупроводниковых технологий.

21

2026

/

04

Передовые материалы | ZEPTOOLS: in-situ‑ТЕМ помогает раскрыть сверхбыструю кинетику ионов натрия, обусловленную ненасыщенным дисульфидом молибдена

Натрий‑серные аккумуляторы, работающие при комнатной температуре, благодаря низкой стоимости, обилию доступных ресурсов и чрезвычайно высокой теоретической энергетической плотности широко рассматриваются как ключевое технологическое решение для будущих крупномасштабных систем хранения энергии. В современных исследованиях для преодоления эффекта полисульфидного шунтирования учёные часто используют пористые углеродные каркасы для физического удержания либо применяют полярные матрицы‑хозяева, чтобы установить химические взаимодействия, тем самым повышая сродство к полисульфидам и способствуя их каталитическому превращению. Однако эти подходы по‑прежнему в основе своей опираются на путь растворения‑перекристаллизации, связанный с растворимыми длинноцепочечными полисульфидами. Из‑за относительно слабого взаимодействия между углеродными матрицами‑хозяевами и активными материалами эффект шунтирования зачастую не удаётся полностью подавить, а замедленная кинетика окислительно‑восстановительных процессов по‑прежнему ограничивает кинетические характеристики батареи, что приводит к быстрому снижению ёмкости во время циклирования.

20

2026

/

04

Передовые материалы | In‑situ‑ТЕМ‑метод ZEPTOOLS способствует преодолению узкого места в производительности, связанного с чрезвычайно низким током утечки 3D‑памяти, — в селекторах памяти

Повышение плотности интеграции микросхем памяти имеет ключевое значение для создания высокопроизводительных систем хранения данных и параллельных вычислений; это требует, чтобы селекторные компоненты в 3D‑накладных кросс‑поинтовых архитектурах обладали сверхнизким током утечки и подходящим пороговым напряжением. В настоящее время в 3D‑фазовой памяти для управления состоянием включения/выключения ячеек памяти преимущественно используются селекторы на основе овонического порогового переключения (OTS), при этом их доступные характеристики непосредственно влияют на эффективность использования площади чипа и его стоимость. Идеальный селектор должен обеспечивать ток утечки в подпороговом режиме порядка пикоампер при половинном напряжении питания, одновременно демонстрируя крайне высокую нелинейность переключения, а его пороговое напряжение должно находиться в диапазоне 1,8–2,5 вольта, что позволяет совместимость с низковольтными логическими устройствами в передовых технологических узлах. Однако существующие материальные системы и конструктивные решения зачастую не способны одновременно удовлетворить эти строгие требования к параметрам, что ограничивает развитие более масштабных массивов памяти.

16

2026

/

04

Nature Communications | Наблюдение обратной электромиграции в металлических межсоединениях размером менее 10 нм на основе технологии in-situ TEM ZEPTOOLS

В области наноэлектронных устройств стремительное развитие миниатюризации и высокой плотности интеграции ставит перед наноразмерными компонентами серьёзные задачи по обеспечению их атомарной стабильности в экстремальных условиях эксплуатации. По мере уменьшения габаритов приборов до суб‑10‑нм масштаба ключевым узким местом, ограничивающим надёжность, становится электромиграция: направленная диффузия атомов, вызванная токами высокой плотности, постепенно повреждает металлические межсоединения, что в конечном счёте приводит к выходу устройства из строя. На протяжении длительного времени медь и золото — основные материалы для межсоединений — демонстрируют значительное увеличение удельного сопротивления и низкие энергии активации диффузии на суб‑10‑нм масштабе, что делает их крайне подверженными отказам. Согласно традиционной теории, основным движущим фактором атомарной миграции в металлических межсоединениях является сила электронного ветра, направление которой всегда совпадает с направлением тока электронов; эта концепция стала краеугольным камнем разработки стратегий повышения надёжности в электронной промышленности.

15

2026

/

04

Сканирующий электронный микроскоп серии ZEM компании ZEPTOOLS | Стресс‑индуцированная динамическая эволюция сегнетоэлектрических доменов и её влияние на характеристики актуаторов

Являясь ключевым компонентом систем высокоточного позиционирования и преобразования сил, пьезоэлектрические приводы играют незаменимую роль в таких областях точного производства, как аэрокосмическая отрасль, автомобилестроение и биологический отбор проб. По мере непрерывного расширения мировой пьезоэлектрической индустрии к приводам предъявляются строгие требования: разрешение смещения на уровне нанометров, скорость отклика порядка миллисекунд и высокая удельная мощность. В настоящее время свинцовые релаксорные сегнетоэлектрики по‑прежнему остаются основным направлением исследований и применения в этой сфере благодаря своим выдающимся электромеханическим свойствам, особенно важным для компенсации микросмещений. Однако существующие высокопроизводительные пьезоэлектрические материалы во время эксплуатации часто подвергаются сложным внешним возмущениям, что стало узким местом, ограничивающим долговременную стабильную работу устройств.

08

2026

/

04