Популярные приложения
Двумерный рост и характеризация материалов
Разработанные компанией ZEPTOOLS приборы и оборудование позволяют осуществлять выращивание двумерных материалов непосредственно в процессе синтеза и их электрохимическую характеризацию, способствуя изучению теории и применения двумерных материалов.
Решение
Ван-дер-ваальсовы слоистые сегнетоэлектрические полупроводники благодаря своим уникальным свойствам внеосевой поляризации демонстрируют значительный потенциал применения в области новых наноустройств. Традиционные сегнетоэлектрические материалы ограничены структурными требованиями, связанными с отсутствием центральной симметрии пространственной группы, что существенно сужает круг возможных вариантов разработки новых материалов.
В последние годы двумерные (2D) слоистые кристаллы и их гетероструктуры привлекают широкое внимание благодаря своим выдающимся электрическим, оптическим и механическим свойствам. Несмотря на значительный прогресс в технологиях роста материалов, качество двумерных кристаллов, полученных методами, такими как химическое осаждение из газовой фазы, по‑прежнему остаётся неудовлетворительным по сравнению с их аналогами, полученными путём механического отслаивания.
Двумерные (2D) материалы, такие как дихалькогениды переходных металлов (TMD), благодаря своим уникальным свойствам обладают огромным потенциалом для применения в электронных устройствах следующего поколения. Эти свойства включают атомарную толщину, обеспечивающую высокую эффективность электростатического управления, а также отсутствие подвижных связей на поверхности и взаимодействия, обусловленные ван‑дер‑ваальсовыми силами (vdW), что делает их идеальными кандидатами для решения ключевых проблем, стоящих перед кремниевыми интегральными схемами, таких как уменьшение размеров, управление тепловыми процессами и проблема «стены памяти».
В современной области фотодетекторов двумерные (2D) материалы привлекают особое внимание благодаря своим уникальным физическим и химическим свойствам. В частности, ван‑дер‑ваальсовы (vdW) гетероструктуры, образующиеся при сочетании 2D‑материалов с кремнием (Si), стали объектом интенсивных исследований благодаря их потенциальным высокопроизводительным оптоэлектронным характеристикам. Однако существующие технологии по‑прежнему сталкиваются с трудностями в обеспечении точной паттернизации таких гетероструктур и их масштабного производства.
В современную эпоху стремительного развития науки и технологий технологии микроэлектромеханических систем (MEMS) превратились в ключевую силу, стимулирующую инновации в области современных сенсорных технологий. Мембранные датчики давления на основе MEMS, являясь одним из важнейших направлений этой области, широко применяются в биомедицине, авиакосмической отрасли, автомобильной промышленности и других сферах. По мере роста требований к характеристикам сенсоров исследователи активно ищут новые материалы и технологии, направленные на создание датчиков давления с повышенной чувствительностью, более быстрым откликом и улучшенной стабильностью.
В данном исследовании с использованием установки плазменного усиленного химического осаждения из газовой фазы (PECVD) компании Zeyou Technology удалось без применения металлического катализатора успешно создать биосенсорный чип на основе графеновых полевых транзисторов (GFET) с высоким выходом — 328 из 384. Электрические испытания показали хорошую согласованность значений сопротивления, подвижности носителей заряда и характеристик транспортных свойств этих GFET‑устройств.
Свяжитесь с нами
Телефон:15756003283
Электронная почта:support@zeptools.com
Адрес: провинция Аньхой, город Тунлинь, Электронный парк предпринимательства «Дунши», д. 15